BLF6G10LS-200R /T3 datasheet
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>> BLF6G10LS-200R /T3 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
BLF6G10LS-200R /T3
库存数量:
可订货
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
BLF6G10LS-200R /T3 PDF下载
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶体管极性
N-Channel
频率
增益
输出功率
汲极/源极击穿电压
65 V
漏极连续电流
49 A
闸/源击穿电压
- 0.5 V to + 13 V
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
SOT502B
封装
Reel - 13 in
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属性
链接
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BLF6G10LS-200R/T3
BLF6G10LS-200RN,11
供应商
公司名
电话
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
13168731828
朱先生
昆山开发区美科微电子商行
18951125455
易春花
深圳市桂鹏科技有限公司
0755-82810298
田小姐/高先生/李小姐
深圳市华诺星科技有限公司
18998911681
陈康
上海鑫科润电子科技有限公司
18521007236
鑫科润
BLF6G10LS-200R /T3 参考价格
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